本文摘要：据日媒报导，全球第2大NAND型快闪记忆体(FlashMemory)厂商东芝(Toshiba)将在2017年度使用被称作纳米压印(Nano-imprintLithography；NIL)的新技术、生产用于于智能手机等产品的NANDFlash，借以可让曝光工程(构成电路的工程)成本太低至使用现行技术的1/3水准，就整体生产工程来看，预估成本未来将会删改大约1成。 东芝于是以和大日本印刷(DNP)、Canon持续研发NIL技术，以希望借由提升成本竞争力、对付韩国三星电子。

据日媒报导，全球第2大NAND型快闪记忆体(FlashMemory)厂商东芝(Toshiba)将在2017年度使用被称作纳米压印(Nano-imprintLithography；NIL)的新技术、生产用于于智能手机等产品的NANDFlash，借以可让曝光工程(构成电路的工程)成本太低至使用现行技术的1/3水准，就整体生产工程来看，预估成本未来将会删改大约1成。　　东芝于是以和大日本印刷(DNP)、Canon持续研发NIL技术，以希望借由提升成本竞争力、对付韩国三星电子。

　　东芝计划今后3年内对半导体事业砸下8，600亿日元展开投资，其中部分资金将用来整备使用NIL技术的NANDFlash产线，且计划于2017年度开始展开生产、之后并计划利用预计于2018年度落成的新厂房展开量产。　　因现行技术已无法进一步提高半导体性能，故包括东芝在内的全球半导体大厂于是以大力展开次世代技术的研发，而除了上述的NIL之外，荷兰设备厂ASML在取得美国英特尔(Intel)、韩国三星的提供支援下，于是以展开近于紫外光(EUV)曝光技术的研发。

　　东芝3月18日宣告，将在2016年度-2018年度的3年间总计砸下大约8，600亿日元投资NAND型快闪记忆体(FlashMemory)，除将修建3DFlash新的厂房之外，也将对现有厂房展开设备改版、提升3DFlash的生产比重。　　TrendForce旗下记忆体储存事业一处DRAMeXchange近期报告表明，2016年Q1(1-3月)NANDFlash品牌商营收季减半2.9%至80.64亿美元，已倒数两季衰落。

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